掃描電鏡是利用精細(xì)聚焦的電子束照射在樣品表面，電子束與樣品相互作用產(chǎn)生各種信號(hào)，其中包括二次電子、背散射電子、特征X射線等不同能量的光子，這些信號(hào)經(jīng)相應(yīng)的探測(cè)器接收，用于研究各種材料的微觀形貌；配上能譜儀、波譜儀等附件，可對(duì)材料元素成分進(jìn)行分析。
微區(qū)分析中，掃描電鏡結(jié)合X射線能譜儀是微區(qū)形貌觀察和成分分析常用的手段。能譜儀在不損壞試樣的情況下，可對(duì)樣品成分進(jìn)行定性、定量分析，且分析速度快，靈敏度高，在材料科學(xué)、生物培養(yǎng)、醫(yī)學(xué)手術(shù)、地礦勘探等各個(gè)領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用。
譜峰識(shí)別中常出現(xiàn)的問(wèn)題
1 假峰
假峰是指能譜分析中由于脈沖重合和探測(cè)器的輻射損失等原因而產(chǎn)生的峰，主要包括以下幾種：逃逸峰、和峰、硅內(nèi)熒光峰、系統(tǒng)峰。
由于探測(cè)器材料的熒光效應(yīng)，造成入射光電子能量損失引起的假峰，稱(chēng)之為逃逸峰。
逃逸峰的能量為入射特征峰減去探測(cè)器發(fā)射的X射線能量(硅逃逸峰的能量為1.734keV)。逃逸峰發(fā)生的概率隨著其主峰能量的增加而降低，其強(qiáng)弱相比于主峰存在著固定的比值，硅探測(cè)器的固定比值從P Kα的1%下降到Zn Kα的0.01%，硒探測(cè)器的固定比值從Se Kα的17%下降到Ru Kα的7%。入射X射線能量低于探測(cè)器材料的臨界激發(fā)能時(shí)不產(chǎn)生逃逸峰，有的元素L譜峰同樣產(chǎn)生逃逸。
和峰是由于兩個(gè)特征X射線光電子同時(shí)進(jìn)入探測(cè)器無(wú)法分辨，而產(chǎn)生兩個(gè)特征X射線光子能量之和的假峰，和峰的強(qiáng)度隨計(jì)數(shù)率的增加而增大。
硅內(nèi)熒光峰是由探測(cè)器內(nèi)的熒光效應(yīng)而不是由試樣被激發(fā)產(chǎn)生的譜峰。
系統(tǒng)峰主要是由于入射電子束中的非聚焦成分和/或試樣的背散射而激發(fā)試樣臺(tái)、準(zhǔn)直器、樣品室部件及透鏡極靴等造成的假峰。
2 重疊峰
由于X射線能譜儀的能量分辨率較差，目前來(lái)說(shuō)性能較好的能譜儀，其分辨率約為130~150eV，而元素的分析譜線分為K，L，M，N等線系，比較復(fù)雜，且各線系能量間隔小，尤其是在低能端，輕元素的K線系(主要是Kα線)與重元素的L線系或M線系的某條譜線的能量差往往小于50eV，各線系間互相干擾，非常容易造成各譜線的相互重疊。
更新時(shí)間：2023-03-01 
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